Prvič je teoretiziral Leon Chua leta 1971. Memristor je četrti element osnovnega vezja, ki je sposoben ustvariti nelinearno razmerje med električnim nabojem in magnetnim pretokom. Šteje se za manjkajočo nelinearno pasivno dvo-terminalno električno komponento.

Električna upornost memristorja se spreminja glede na zgodovino električnega toka, ki teče skozi napravo. Memristor "zapomni" svoj najnovejši električni upor, ko je moč ugasnjena, zaradi česar je oblika trajnega spomina.

Pomnilniški izrazi, nelinearni